知名人物邹世昌人物简介

Posted 2022-04-02 知

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知名人物邹世昌人物简介

·邹世昌

邹世昌，凝聚态物理学家，半导体器件专家，中国科学院院士。为建立我国原子能工业作出了贡献。对荷能离子与固体相互作用进行了系统研究，并将其应用于材料的改性、分析。研制成我国第一块120门砷化镓门阵列集成电路和CMOS/SOI集成电路。致力于建立我国的半导体产业，参与在上海建设华虹NEC (芯片制造) 等一系列集成电路公司。

邹世昌，1931年7月27日出生于上海市。当他开始懂事的时候，“八一三” 战争爆发。目睹日本侵略军掠夺成性的罪恶行径，在他幼小的心灵上埋下了痛切的创伤和悲愤的怒火。在十分艰难的条件下，邹世昌依靠助学金得以继续求学，殷切盼望着抗日战争的胜利，懂得了国家经济实力强大与科学技术进步是取得战争主动权的重要因素，中国之所以受侵略与压迫，国力不强与技术落后是一个很重要的原因。1945年抗战胜利，但上海的社会依然是 “朱门酒肉臭，路有冻死骨”，人民仍然处于水深火热之中。当时邹世昌在格致中学求学，学校老师的薪水低得十分可怜，连生计都成问题，要靠典当过日子。梦想的破灭使邹世昌又悟出了一个道理，中华民族要走上康庄大道，必须建立一个由人民当家作主的国家和政权。

1949年初，邹世昌从上海格致中学毕业后考入了由申新纱厂创办的中国纺织工学院，从该校毕业后可以直接进入申新所属工厂就业。上海解放以后，邹世昌开始接触新的思想，迫切追求进步，萌生了要投身到国家经济建设高潮中去的决心。于是决定舍近求远，转学北方交通大学冶金工程系，这是邹世昌应国家建设与重工业发展的需要作出的一次重新选择。1952年从北方交通大学毕业，有幸地成为新中国培养的第一批大学生并被分配到中国科学院上海冶金研究所，开始了自己科学研究的生涯。1954—1958年他在莫斯科有色金属学院学习并获副博士学位。

科学研究与生产实际相结合是中国科学院上海冶金研究所创办70多年来一贯坚持的优良传统。在20世纪50年代初，为配合国家建立汽车工业的需要，该所着力研究以我国富有元素替代稀缺元素的汽车代用钢。60年代初，由于苏联撕毁协议，国家要冶金所联合国内有关单位承担一项由周恩来总理亲自关注的用于制备浓缩铀的甲种分离膜项目，抽调副所长吴自良兼任这个研究室的主任，当时已是研究室主任的邹世昌担任该室工艺大组的组长。在任务紧急、资料匮乏、国外封锁等一系列困难面前，夜以继日，奋力拼搏，终于研制成功性能完全合格的甲种分离膜，并立即投入了生产，为发展我国的原子能工业作出了重要的贡献。从70年代起。邹世昌开展离子束材料改性、合成、加工与分析的研究工作，研究了离子束与固体相互作用的物理过程，发展了一系列新技术，创建了离子束开放实验室。邹世昌于70年代初起就从事半导体材料与器件的研究，由于种种原因，一直到90年代中期我国尚未建立起规模生产的半导体集成电路产业，比起步晚的国家和地区还落后了一大截。他抱着不甘落后、奋发图强的决心，在卸任研究所所长以后，又接受委任投身到在上海浦东建设我国微电子产业的高潮中。

邹世昌曾到过世界上不少国家，他认为与发达国家先进的科技相比，我国确实存在着很大的差距。我们要博采各家之所长。在自身的经历中邹世昌自信，凭中国人的聪明才智和刻苦勤奋完全可以做出优异的成绩。面对国外优厚的物质待遇和工作条件，邹世昌心地坦然，绝不留恋，他认为祖国再穷也是我们自己的，改变她的落后面貌，正是我们的责任。

回顾自己的经历，邹世昌庆幸自己在好的学校中得到了严格的训练与教育，出了校门又投身到严师的门下，老一辈科学家的献身精神和言传身教促使他沿着正确的轨道健康成长。随着时间的推移，邹世昌也被推上了领导科研工作和培养青年科技人员的岗位，他深感自己对年轻一代科技人员所负的责任，决心尽快将自己多年积累的知识与经验传授给他们，帮助他们走上为祖国科技事业而奋斗的轨道。

大力协同研制 “真空阀门”

天然铀中，核燃料铀235只占0.7%，其余99.3%是??238。用于制造核武器的浓缩铀中，铀235的丰度要达到90%以上。分离铀同位素是一项十分关键但又十分困难的技术，因为??的两个同位素铀238和铀235的物理和化学性质都极相似。在20世纪60年代唯一可行的工业规模分离铀同位素的技术是气体扩散法。在气体扩散法中，先把铀变成容易气化的氟化铀，再让它扩散通过多孔的分离膜，由于铀235和铀238氟化物的分子量不同，分子量大的扩散速度慢，而分子量小的则扩散速度快，这样通过分离膜后，铀235对铀238的比例就会比原来提高一些。但每通过一次，铀235的丰度只能提高1.7/1000，如此反复进行，才能使铀235逐渐浓缩，最终达到核反应堆和核武器需要的浓度。分离技术的关键是这种分离膜元件的制造技术，当时只有美国、英国、苏联和法国掌握制造分离膜的技术，但均被列为重点国防机密，严禁扩散。苏联把这种分离膜称为 “社会主义阵营安全的心脏”，可见它的重要性。

1960年8月，二机部苏联专家撤完的前几天，邹世昌正在长春出差，一封紧急电报把他召到了北京，所党委书记、副所长万钧带了他和粉末冶金专家金大康到北京原子能所。二机部副部长、原子能所所长钱三强亲自向他们下达了研制 “甲种分离膜”的任务。钱三强说： “有人扬言，苏联专家走后，中国的浓缩??工厂将成为一堆废铜烂铁。其中关键之一就是我们不会制造分离铀235的分离膜元件。这个技术是绝密的，不可能得到任何资料。党和国家决定把研制分离膜的任务交给你们去完成。” 听了这些话，大家深感责任重大。回到上海后，立即组织人力，开展“甲种分离膜” (代号：真空阀门) 的研制。同时沈阳金属所、上海复旦大学连同原子能所本身共有四个单位分头开展了这项研究。

1961年11月，中科院与二机部领导在上海衡山饭店召开会议，对四个单位一年来的工作进行了全面的检查和总结。鉴于任务的迫切性，会议决定把各单位有关的科研人员和设备集中到上海冶金所联合攻关。副所长吴自良兼任室主任，下设三个大组：第一大组负责研制分离膜的原料——超细镍基复合粉并小批量生产; 第二大组负责成膜工艺并制成分离膜元件; 第三大组负责分离膜的性能检测、分析和后处理。

在这样一个充满奉献精神、学科齐全、团结合作的科研群体的共同努力下，通过夜以继日的勤奋工作，分离膜元件研制的??术难关被一个个攻克。

分离元件既要有合理的空隙与分离功能，又要有足够的机械强度和经得起六氟化铀气体腐蚀的化学稳定性，在选料、制材和热处理方面都有极其特殊的要求。邹世昌领导的第二大组负责分离元件制造工艺的研究，包括粉末成型、压力加工、热处理、焊接、物理性能测量等环节。邹世昌与组内同志共同努力，经过无数次试验，确定了有关工艺的设备、工艺和参数。到了1963年，第二大组对技术路线进行了优选决策，制成了合乎要求的分离膜元件。这里大家忘不了原子能所、金属研究所、丽新制造厂、上海电器科学研究所的协作攻关和可贵的支援。

焊接成型也是一个大难题。当时我国能生产供应的焊头材料性能较差，达不到甲种分离膜焊接工艺的要求。正好邹世昌在苏联读研究生时，曾研究出一种高强度、高电导、热稳定的铜合金新材料。将这一材料加工成焊接电极，使用效果非常好，为甲种铀分离膜的研制成功铲平了一大障碍。

第一和第三大组的工作也取得了进展。这样到1964年初，实验室试制工作基本结束，随即转入试生产。邹世昌与组内有关同志下到工厂指导生产并确定工艺操作规程。

试用结果表明，元件性能良好，超过了苏联的元件。1965年通过了国家鉴定并于同年建成了生产厂大批量生产分离膜元件，使中国成为世界上除美英苏法以外第五个独立掌握浓缩铀生产技术的国家。

20多年的实际投产和使用结果表明，分离膜的使用效果比预期的还要好。这项技术在1984年被授予国家发明奖一等奖，邹世昌排名第二。

开拓离子束技术及其应用的新领域

20世纪70年代初，经受过 “文化大革命”批判的邹世昌回到了研究工作岗位，此时他的研究领域已转到研究离子束与固体材料的相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用。当时“文化大革命”还在继续，能用的设备是国内制造的第一台20万电子伏特能量离子注入机，性能很不稳定。邹世昌先参加了CMOS集成电路 (电子手表分频器) 阈值电压控制的后期部分工作，这是在我国首次将离子注入应用于半导体集成电路。1974年与上海原子核研究所合作在该离子注入机上配置束流准直器及精密定角器，建立了背散射能谱测量及沟道效应分析系统，应用于离子注入半导体的表面层组分浓度分布的测定、晶格损伤的分析以及掺杂原子晶格定位，于1975年完成了氖离子背面注入损伤吸收硅中重杂质以改善p-n结反向漏电特性的研究工作。同年9月，邹世昌在西德卡尔斯鲁厄 “离子束表面分析” 国际学术会议上发表了这篇论文，引起国际同行好评。令他们十分惊讶的是国际上一般都要用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国竟在自制的设备上完成了。这是我国第一篇在国际学术界发表的利用离子背散射能谱分析开展半导体研究的论文。1978年又与上海光机所合作在国内率先开展了半导体激光退火的研究工作。在建立了上述技术的基础上，邹世昌领导的离子束实验室对离子束与固体材料的相互作用进行了系统的研究并应用于材料的改性、合成、加工、分析，陆续完成了以下一些研究工作。

(1) 半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创性地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的办法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步奖一等奖。

(2) SOI技术：对SOI技术进行了系统的研究，用离子注入和激光再结晶方法合成了SOI新材料。解决了激光再结晶SOI材料适于制作电路的表面质量问题，获得一项发明专利。在深入分析SOI材料光学效应的基础上，提出了一套非破坏性的表征技术，进而研制成功新型的CMOS/SOI电路。该项目获中国科学院1990年自然科学奖二等奖。近年来SOI材料已进入实用并将成为21世纪硅集成电路的基础技术，说明邹世昌对这一新研究领域的高瞻远瞩。

(3) 离子束微细加工：研究了低能离子束轰击材料表面引起的溅射、损伤和貌相变化等物理现象，并用反应离子束微细加工在石英基片上刻蚀出我国第一批实用闪耀全息光栅，闪耀角可控，工艺重复稳定，衍射效率大为提高，这是光栅制造技术的重大突破，获中国科学院1987年科技进步二等奖与1989年国家科技进步奖三等奖。

(4) 离子束增强沉积：负责国家 “863高技术材料领域材料表面优化”专题，建立并掌握了可控、可预置和可重复的离子束增强沉积技术，合成了与基体有很强粘附力，低摩擦系数和高耐磨性的氮化硅、氮化钛薄膜。

由于这些成绩，邹世昌被选为国际离子束领域两个主要学术会议 (离子注入技术——IIT和离子束材料改性——IBMM) 的国际委员会委员。1989年被评为上海市劳动模范。

致力于建立我国的半导体产业

“我是怀着振兴微电子产业的愿望，在1997年来到华虹NEC的，可谓受命于创业之际”。说起华虹的历史，邹世昌深有感触。虽然早在1965年，上海冶金所就和上海元件五厂共同研究试制出上海第一块半导体集成电路，几乎与日本同步，但是由于种种原因，历经30余年我国仍未建立起规模经营的半导体产业。特别是20世纪90年代初，邹世昌出国考察，看到起步比我国晚得多的新加坡、马来西亚的半导体产业后来居上，心里无法平静，寝食不安，一股强烈的责任感驱使邹世昌不甘落后、奋发向上，立志改变我国微电子产业落后的面貌。

正在此时，原电子工业部和上海市着手组建华虹NEC公司，邹世昌受上海市政府的派遣参加了华虹NEC公司的筹建。从谈判到签约、从打桩到建厂房，在公司董事会的领导下他和公司其他领导一起一心扑在工作上。经过努力，国家909工程中日合资的华虹NEC公司比计划提前7个月，于1999年2月23日投入生产，标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路生产线，制造技术水平跨入当今世界主流水平。2000年公司生产又跨上了一个新的台阶，出口2.1亿美元、盈利3.5亿元，提折旧8.5亿元，走出了一条半导体企业成功之路。

然而，“发展微电子产业的路还很长，任重而道远”。面对成功，邹世昌依旧非常清醒。从日本引进的先进的芯片生产技术还需要消化吸收，更要自主创新，建立自己的知识产权和技术队伍。要加强集成电路的设计开发，发展我国自主的微电子产业。眼下，华虹集成电路公司正在设计制作交通一卡通、社保卡、身份证卡芯片。由邹世昌领导的定位在系统芯片的众华电子公司，正从设计开发液晶显示器驱动电路起步，建立一支掌握全新设计方法和工具的集成电路设计队伍。

华虹NEC的成功证明了微电子产业不但能为我国信息电子产业的发展作出重要贡献，自身也能良性循环并产生经济效益，从而纠正了多年来在国内形成的半导体行业是一个亏本行业的错误认识，增强了投资发展微电子产业的信心与决心。

克己奉公身体力行提携后辈

1983年，邹世昌被推上了研究所所长的岗位，作为一个专业研究人员，要离开长期从事而且深深热爱的研究工作，那种复杂的感情恐怕是常人难以理解的。但邹世昌服从了工作的需要，他的态度是既蒙群众信任，走上所长岗位以后就应该全力以赴，廉政勤政，秉公办事，坚持原则，关心群众，要办成几件建设性的大事，为改变研究所的面貌而奋斗。他提醒自己当了所领导后，责任越重，越要谦虚谨慎，要善于听取各方面的意见，切忌独断专行。他提倡讲理想、讲奉献，艰苦奋斗、苦干实干。同时采取有力的措施，严格管理，廉洁自律，尽心尽职，亲自带头，凡是要求下面做的事情必须自己率先做到，凡是不允许职工做的事自己坚决不做。

对改革过程中出现的个人与集体、局部与整体、目前与长远各种各样的矛盾与阻力，他不是碰到困难绕道走，而是坚持原则，凡是有利于全所学术水平提高、经济实力增长与青年队伍成长的事情，即便一时不能为一部分人所理解也一定要把它做好。要一心为公，坚持原则，不图虚名，多做实事，不计较个人得失，经得起困难与风险的考验，这就是邹世昌的态度。

在分配问题上他坚持了按劳分配、效益优先、兼顾公平的基本原则并兼顾国家、集体、个人三方面的利益，从而调动了广大职工的积极性。在任职的14年中他确保了职工的收入逐年增长，职工个人平均年收入从1984年的1300元提升到1996年的19174元，而邹世昌坚持不给自己发年终奖金。克己奉公，对邹世昌来说是一贯的，早在1979年西德弗朗霍夫学会邀请邹世昌以客座教授身份到固体技术研究所工作近一年，德方付给他的工资，除正常开支外还省下了一笔外汇，他为所里买了一台价值3000美元的计算机以及一些计算器、集成电路和其他零件。同志们赞扬他爱祖国、爱事业的精神，他却谦逊地说： “这是我应该做的”。

20世纪80～90年代年轻科技人员流失的问题相当严重。邹世昌十分清楚面临的资金不足，住房紧张，陈旧的论资排辈思想等等难题。经过反复思考，到了90年代初，邹世昌认为是下决心的时候了。

“人才是关系到研究所兴衰存亡的大问题，一个研究单位的竞争能力，归根到底取决于科技队伍的素质与水准。作为所长，我在位一天，就要创造一切条件让年轻人尽快成长起来。” 邹世昌终于说话了。他铁了心，采取超常规的政策和措施吸引、稳定、留住年轻人，于是天平开始向年轻人倾斜。在晋升高级专业技术职称中，至少有20%～30%的比例用于青年科技人员; 吸收、选拔他们参加所学术、学位评定、职称评审3个委员会和担任各级领导; 出国考察要优先考虑年轻人; 在住房分配中，青年科技人员的比例不少于20%; 对优秀青年人才要一事一议，特事特办，欢迎他们来所; 要给青年人压担子，要为他们创造脱颖而出的环境与条件。

为吸引优秀的年轻人，他逐个找他们谈心，以自己的亲身经历进行言传身教，要求他们把发展祖国的科技事业作为自己的责任，同时为他们排忧解难，以真诚之情打动人心。1992年，??位留德博士研究生来信，表示愿学成后回国。邹世昌亲自复信，表示一定尽责安排好回国以后的工作和生活条件。祖国的呼唤，所长的关怀，使游子回来了。他自己培养的20多名博士硕士中就有一半在国外进修后回国效力，他们以优异的业绩晋升为研究员并分别担任国家重点实验室、开放实验室主任，有的已被推上了所长助理、副所长的领导岗位。

邹世昌是一个视事业为第一生命的人。他爱祖国、爱人民，爱干了大半辈子的科学研究事业。邹世昌在一则自述中深情地写上了这么一段： “我出生于这块饱经蹂躏侵略、贫穷落后的土地上，我的命运就和祖国的前途紧紧相连，我的历史责任是要竭尽全力去改变她的面貌，建设一个繁荣昌盛、科技发达的新中国”，这是邹世昌在科学事业上拼搏奋进50载的心路历程和真实写照。

邹世昌获国家级、中国科学院和上海市自然科学奖、科技进步奖、发明奖等共14项，发表论文200多篇，是国际 “离子注入” 及 “材料改性” 两个学术会议的国际委员会委员。另外，他在1986年当选为中国共产党上海市第五届委员会候补委员，1992年当选为中国共产党第十四届中央委员会候补委员。现任中国科学院上海冶金研究所研究员、博士生导师; 上海华虹集团公司董事，上海华虹NEC电子有限公司、上海华虹集成电路有限公司、上海新康电子有限公司副董事长，上海众华电子有限公司董事长; 上海市集成电路行业协会理事长; 上海浦东新区科学技术协会主席。

简历

1931年7月27日出生于上海市。

1949—1950年在上海中国纺织工学院学习。

1950—1952年在北方交通大学唐山工学院学习。

1952—1953年任中国科学院上海冶金陶瓷研究所研究实习员。

1953—1954年在北京俄语专修学校学习。

1954—1958年在莫斯科有色金属学院学习。

1958—1983年任中国科学院上海冶金研究所助研、副研究员，室主任、大组长。

1979—1980年任西德慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。

1983—1997年任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。

1991年当选为中国科学院院士。

1997年—任中国科学院上海冶金研究所研究员。

主要论著

1 Zou Shichang，Tsien P H，Takai M，et al. Front and Back Surface CO₂-Laser Annealing of Arsenic Ion-Implanted Silicon. Applied Physics，1980，23： 163

2 Zou Shichang，Lin Chenglu. CW CO₂ Laser Annealing and Alloying of Semiconductors. Chinese Physics，1983，3： 1

3 Zou Shichang，et al. Topographical Changes Induced by Low Energy Ion Beam Sputtering at Oblique Incidence. Radiation Effects，1983，77： 177

4 邹世昌，倪如山，张祖华. 硼注入 (100) 硅残余缺陷的沟道研究. 半导体学报，1985，6 (1)： 19

5 Zou Shichang，et al. As Redistribution during Ti Silicide Formation.Nuclear Instruments and Methods In Physics Research，1987，B19/20： 427

6 Zou Shichang，et al. Dynamic Implantation Model of Ion Beam EnhancedDeposition. Nuclear Instruments and Methods，1989，B37/38： 424

7 邹世昌，等. SOI/SIMOX多层结构及其光学性质研究. 中国科学，1990，A缉9： 976

8 Zou Shichang，et al. High Carrier Concentration in InP by Si+ and P+ Dual Implantaton. Applied Physics Letters，1990，56：463

9 Zou Shichang，et al. Effect of Fluorine Ion Implantation On Superconducting Properties of YBaCuO Films. Solid State Communication，1990，76：1663

10 邹世昌，等. 磷化铟中离子注入硅的双性行为研究. 物理学报，1991，40： 3

11 Zou Shichang，et al. Calculation of the Exchange Between Two Magnetized Layers Embedded in a Metal. Physical Review B，1996，53： 12225

12 Zou Shichang，et al. Impurity Resistivity of an Ideal Metallic ThinFilm. Physical Review B，1997，55

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