知名人物王守武人物简介

Posted 2022-04-14 知

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知名人物王守武人物简介

·王守武

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王守武，半导体器件物理学家。中国科学院院士。中国半导体科学奠基人之一。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。在中国科技大学兼职授课20余年，培养了大批物理学家和半导体技术专家。

王守武，男，汉族，1919年3月15日出生于江苏省苏州市。孩童时代常被疟疾纠缠，身体状况不好，智力曾一度受到影响。上学后，经常性的病休，持续不断的自学磨练，使王守武从小就养成了寡言、内向的性格，和善于独立思考的习惯。在他4岁时，父亲赴上海与他人合股开办机械厂，家人也随之迁居。不到两年，工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺。王守武后来之所以能在科研工作中动手能力强，均得益于那时的培养和磨练。他喜爱数学的父亲，工作之余，常给子女们讲些趣味数学，或出一些智力测验题让孩子们回答。那时，王守武曾随哥姐们听父亲讲过如何求园周率π的问题，他虽听不懂，但“π”这个无理数的特性，却一直印在他的脑海之中。1934年，父亲退休后举家迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。高中三年级时，经过对《三角》、《高等代数》的学习，启迪了他的思维，他从反三角函数的级数展开中，得到了π的计算方法，写成“园周率π的级数展开”一文，发表在苏州中学的校刊上，显露了他在领悟数理理论方面的过人才华。自此，从事自然科学工作，既符合他父亲的希望，也是他酿就的意愿，渴望在著名大学里得到名师的教诲和严格的科学训练。

王守武高中毕业前夕，未曾根治的宿疾——疟疾再次重犯，耽误了学校的年终考试和苏州全区的毕业会考。一张肄业证书，难以像他哥姐们那样入清华大学、燕京大学、协和医学院等名牌学府就读，只得听从曾留学德国的大哥的建议，进上海同济大学德文补习班学习。一年后，他重回苏州中学参加会考，拿到了高中毕业文凭，才正式成为同济大学机电系的学生。

1937年，“七七”芦沟桥事变后，日本侵略者将侵华战火烧到上海，发动了 “八一三”事变，同济大学不得不离沪内迁。八年抗战的岁月，人民生活不安宁，读书也不安宁。好不容易挨到了1941年春天，王守武在云南昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后，因举家已迁往昆明，遂就近在昆明入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了工务员。一年后又入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。经过实践，讷于言谈的王守武自感不适合从事工厂管理工作，便转到同济大学任教。

1945年8月，抗日战争胜利，王守武出于爱国热忱，憧憬“科学救国” 的道路，便于当年10月，负笈远行，横渡大洋，入美国印第安那州普度大学研究生院攻读工程力学。翌年6月，荣获硕士学位。王守武各门功课优异，尤以数学成绩最好，深得导师赞赏。校方为鼓励王守武继续深造，资助他攻读博士学位。这时，正在兴起的量子力学引起了王守武的兴趣，便从工程力学转向对微观粒子运动规律的研究。两年后，王守武完成了题为“一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法”的论文，获得了博士学位。

王守武的本意是获得博士学位后即回国效力。1949年的祖国，正处于黎明前的黑暗时期，王守武难以成行，经普度大学工程力学系主任斯蒂姆(STURM)的敦聘，留校执教，并与同在普度大学留学的葛修怀女士，组成了温馨的家庭，过着宁静、舒适的生活。

1949年的10月1日，大洋彼岸的中华大地，传来了新中国诞生的喜讯，许多与国民党军政要员无多大关系的留美同学，常聚会在王守武的家里，传看报道中华人民共和国成立的报纸。王守武虽然不热心于政治，但对国民党政府的反动和腐败深有认识，对共产党为国为民的政策也时有所闻，并深为钦佩和崇敬，当时他深深感到，贫穷落后的祖国，将在共产党的领导下复兴，在社会主义的大道上繁荣，从而下定决心，尽快回归祖国，以图报效。

王氏夫妇决意回归故里的消息传开后，一些当时身处美国的同学和同事劝他留在美国继续自己的教学生涯; 也有的因慑于美国联邦调查局的淫威，劝他们不要冒风险。但是，主意已定的王守武夫妇毫不动摇，互相劝勉和鼓励，并为早日回归祖国进行准备。

1950年的6月25日朝鲜战争爆发。王守武出自对时局的敏感，认为应尽快行动，便借思念年迈的孤寡母亲为由，向美国当局递交了回国申请。获得批准后，即毫不迟疑地偕同夫人携不满周岁的女儿，启程回国。自此，王守武开始了为国效力的生涯。

四十多年来，王守武在他效力的中国科学院，恪尽职守，勤奋工作，为祖国的科学事业，特别是在半导体科技领域，建树甚多，作出了一系列富有开拓性的贡献。

王守武1960年加入中国共产党，1980年被评选为中国科学院技术科学部学部委员(现改称为中国科学院院士)，曾任国务院电子计算机和大规模集成电路领导小组集成电路顾问组组长，中国电子学会常务理事，中国物理学会常务理事，北京物理学会副理事长。现任中国电子学会理事、中国电子学会半导体与集成技术学会主任委员，《半导体学报》主编。他是第三、四届全国人大代表，第五、六、七届全国政协委员。

迈出为国效力的第一步

1950年底，王守武刚刚踏上祖国大地，上级就十分信赖地交给他一项紧急任务：为在抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标，让祖国 “最可爱的人”在朝鲜前线既可夜里行车，又不致被敌机发现，免遭轰炸。报国心切的王守武，立即在他任职的中国科学院应用物理研究所，组织科研人员依据他的设计进行加工制作。他依据光线在锥体表面定向反射的原理，使特殊设计的车灯光线在路标上的反射光，只能定向地射到司机的眼里，避免了敌机发现的可能性。设计制作完成后，进行了实地试验，解决了问题。

1951年5月西藏和平解放后，当地政府发现藏民生活用燃料奇缺，能源不足，但高原阳光充足，便向中国科学院提出了为之设计制造太阳灶的请求。受命主持此项设计任务的王守武，考虑到制造一个大面积的抛物形反射镜加工有困难，决定改用多个窄圆锥形反射面组成的反射系统，用调整每个圆锥面斜度的方法，使平行于主轴方向的光线都反射到太阳灶的中心。设计制作成功后，用它可以在15分钟内把一壶水烧开。这种太阳灶，至今还在青藏高原发挥它的作用。

1954年，王守武了解到新一代的电子器件——半导体晶体管已在国外广泛应用，并预见它将引起电子技术的一次新的革命。为了推动我国电子技术跟上时代的发展，他与同期归国的黄昆、洪朝生等著名专家，在当年召开的物理学年会上，作了这方面的介绍，希望引起有关方面的重视。

50年代的前半期，王守武到大学里讲授过理论力学，开展过氧化亚铜整流器的制作条件与性能的研究，并从理论上分析了有关半导体整流器的一些性能，其研究成果，相继在中国《物理学报》上发表。

踏上开拓半导体科学事业的新征程

1956年，是王守武科学研究工作中的一个转折点，人生之旅中的一个关键年代。因为在这一年，王守武应邀参加由党中央和国务院领导同志主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展，被列为五大紧急措施之一，是抓紧实施的重点。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到半导体的研究工作中来。刚过而立之年的王守武，走遍大江南北; 举办科学报告会，热情宣传“半导体”在国济民生中的重要性，大力普及半导体科学知识。在应用物理研究所，王守武以电学研究组成员为主要对象，举办了半导体专业培训班，继而组成了我国第一个半导体研究室。根据当时国外文献的报道，锗是制作晶体管最现实的材料 (而硅虽有比锗更优越的性能，但制作工艺在当时还存在许多困难)。目标明确之后，在他与同事吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京工学院等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底，拉制成功了我国第一根锗单晶; 同年11月底到次年初，王守武与同事合作，研制成功了我国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术，能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了器件生产的要求。1958年8月，负责器件组工作的王守觉副研究员从苏联学习归来，引来了合金扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。作为研究室主任的王守武，在参与研制锗高频合金扩散管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并具体解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的跳硅难题。1957年归国的林兰英教授，任材料研究组组长，具体实施了硅单晶的拉制方案。经王守武与林兰英的共同努力，使得我国第一根硅单晶于1958年7月问世。为了促进我国第二代 (晶体管型) 电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了我国最早的一个生产晶体管的工厂——中国科学院109工厂，从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，组织全厂人员奋战，到1959年底，为研制109乙型计算机提供了12个品种、14万5千多只锗晶体管，完成了该机所需的器件生产任务，为中国科学院计算技术研究所研制新型计算机创造了必要的条件。王守武就是这样不辞辛劳，用自己的智慧、心血和汗水，精心播种和培育了 “半导体”这株新苗，成了我国半导体科学的主要开拓者之一。

1960年4月，给祖国奉献出赤诚之心和在开拓半导体这一新型科学领地中做出了贡献的王守武，受命筹建中国科学院半导体研究所，任筹委会副主任。1960年9月6日，半导体研究所正式成立，王守武被任命为首任副所长，负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建等工作。

组织领导全国半导体测试中心的建设

50年代末，自从锗、硅半导体单晶材料和晶体管在半导体研究室相继问世后，半导体材料与器件工业，在全国雨后春笋般地发展起来，但材料与器件质量的检测手段，远不能适应客观需要，因为在当时，不同单位对同一参数的测试结果差别很大，难以据此来判断各单位所取得成果的水平。1962年，王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。他领导并参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法的研究，建立了相应的标准测试系统。王守武在建立标准测试方法的同时，还着手研究某些简便的测试方法，以满足有关所、厂随时抽测一些样品的需要。经过探索，他创造性地提出了一种测量半导体“少子”寿命的新方法，并发表了《用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子寿命》论文。该论文在1963年中国电子学会第一届学术年会上宣读，受到同行的好评。测试中心建成后，经过全国评比，确立了它在国内的权威地位，并随之承担起了全国半导体参数测试的仲裁任务。

研制成功我国第一只半导体激光器

科学在不断发展，半导体学科的分支也在不断地增多。1962年，美国以砷化镓半导体材料制成的第一只激光器的诞生，在世界上产生了很大的影响。这类器件在体积、重量和发光效率等方面，均比其它激光器优越，其应用前景也广泛得多。远见卓识的王守武，便于1963年组建了激光器研究室，并兼任该研究室主任。当时，半导体所研制成功了砷化镓单晶材料，已可着手从事半导体激光器的研制。制作激光器的关键工艺，是如何在砷化镓薄片的两端形成两个绝对平行的腔端面。这两个端面不仅必须是光亮的镜反射面，而且必须与薄片表面严格地保持互为直角关系。王守武考虑到用手工研磨端面，很难满足上述要求，便利用晶体的解理面作为腔端面，保证了两个端面间的绝对平行性。剩下的问题是如何保证薄片表面与腔端面之间的垂直性。经王守武亲自设计，搭制了一台精密测角仪来检测薄片表面与腔端面之间的夹角。为了使这夹角能恰好等于90℃，在切割砷化镓薄片之前必须先把砷化镓单晶进行晶格定向。在当时实验室的条件下，用X射线来对单晶体进行定向比较困难，王守武创造性地发展了一种光学定向的新方法，大大地加快了研制工作的进程，提高了各项工艺的成品率。1964年元旦前夕，研制成功了我国第一只半导体激光器。

此后，为了把这些科研成果迅速推广到实际应用中去，王守武除了继续从事研制新品种激光器外，还亲自指导并参与了激光通信机和激光测距仪的研制工作。事隔不久，我国第一台激光通信机就诞生了，它可以在无连线的情况下，保密通话达3公里以上。为了提高激光测距仪的可测距离，王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路，装上这个电路后可以使激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果，填补了国内空白，有力地支援了国防现代化建设和国民经济建设。

正当王守武为发展我国半导体科学事业大显身手、全力以赴地奉献自己的聪明才智时，“文化大革命”开始了。在那阴霾的岁月里，无端的诬蔑和诽谤，令王守武痛心疾首。他在被停职审查后，把“委屈”、“愤懑”和“不解”，全都埋在心里，不使之松懈自己为党的事业奋斗终生的宿愿。他白天上班，早来晚走; 夜里在家，不是看书，就是帮研究室改革工具，修理仪器。虽然处于被监督劳动的屈辱境地，但他对所从事的科学事业毫不忘情。为了弥补激光器件研究室缺少分析激光特性手段的缺陷，他主动提出，经监管人员批准，设计研制成功了激光发散角分布测试仪。1968年春，当时的国防科委领导点名要王守武紧急完成一项从越南战场运回的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了前往西安的航程。“文革”后期，周恩来总理提出 “要重视基础理论研究”的号召。王守武不顾半导体研究所的基础理论研究队伍受到 “文革”严重摧残的困难局面，积极响应周总理的号召，着手于基础理论的研究工作，开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩驰豫振荡的深入研究。依这项工作写成的论文，1975年在美国物理学会年会上宣读后，得到国外同行的好评，当年的《中国科学》上发表了这篇论文。在这基础上，他开始用计算机模拟技术对耿氏器件中高场畴的动力学进行分析研究，取得了系列成果，发表了多篇论文。

研制成功4千位的大规模集成电路

粉碎“四人帮”，我国的科学事业枯木逢春。党的一系列拨乱反正政策，驱散了 “文革” 中极左路线弥漫的阴云。王守武重又沐浴在党的温暖的阳光里。

1977年10月，绘制我国科学事业远景蓝图的全国自然科学学科规划会议在北京召开。以邓小平同志为首的党和国家领导人，在接见与会代表时，特意向半导体科学工作者提出，一定要把大规模集成电路搞上去。党中央的关怀和指示，又一次点燃了科学工作者心头为国争光的烈火。半导体所的科技人员，开展了摘取“金字塔上的明珠”——研制大规模集成电路的拼搏。

一年过去了，成效并不显著，科研人员着急，中科院的领导更急。

1978年10月，未曾参与这一重大科研项目领导工作的王守武，被请到中国科学院主要领导同志的办公室，要他出马，全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究工作。义无反顾地接受了这个任务的王守武想的很深很远：在当时，这是一项难度甚高的研究工作，责任重大; 搞一种新产品，只出样品、礼品、展品，没有一定的成品率，不能真正解决国家的急需; 只有在国产设备的基础上提高成品率，才有推广生产的现实意义。于是他立足自力更生，在国产设备的基础上，怀着 “闯新路，攀高峰”的雄心壮志，一头扎进实验室，与科研人员朝夕相处，勇闯一条发展我国微电子技术的道路。

经验告诉人们，科学实验不都是一帆风顺的。攀登科学高峰，更会遇到艰难险阻。研制这种大规模集成电路，要在面积不到4×4平方毫米的单元硅片上，经过40多道工序，制作出由一万一千多个晶体管、电阻、电容等元件构成的电子电路。如果单项工艺的完好率达到95%，芯片的最终工艺完好率也只有13%，要制作出样品，并有一定的成品率，谈何容易。王守武不提不切实际的口号，不急于求成，也不抱丝毫的侥幸心理，而是一步一个脚印地进行探求。他从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查，要求各工序的负责人，详尽地订出各自的操作规程，越细越好。订好后就严格执行，未经工艺负责人应允，不许随意更改。要想工艺质量稳定，首先必须净化系统和使工艺设备性能稳定。王守武率领科研人员对所用的仪器设备，一件件、一台台地认真检修、改造和革新，从根本上解决问题，使之稳定可靠。风浴门时控开关坏了，光刻机漏油，蒸发器性能不稳，椭圆测厚仪常出毛病，王守武常常亲自进行检修，不止一次地爬在地下查找原因，更换元件。对所用超纯水、试剂、超纯气体、光刻胶、超微粒干版、版基玻璃等基础材料，都一一进行认真测试，使之达到所需的质量标准。

王守武依据他对单项工艺研究的设想，要求一般工艺完好率达95%以上，关键工艺完好率达99%以上之后，并先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手，以验证工艺流程的稳定性和可靠性。当其成品率达47%以上时，王守武才让投片研制4千位动态随机存储器。为了对比选优，投入了三种不同的设计版图，并都出了样品。1979年9月28日，其中一种版图的批量成品率达20%以上，最高的达40%，为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。这一研制成果，荣获中科院1980年科研成果一等奖。王守武的贡献，受到人们的称颂和中科院、国家科委等上级领导的表扬。1979年底，他荣获全国劳动模范的光荣称号。

走向集成电路大生产试验场

1980年，刚刚过完春节，上级要王守武去中国科学院109工厂兼任厂长职务，开展这一4千位大规模集成电路的推广工作，从事提高成品率、降低成本的集成电路大生产试验。

王守武一到109工厂，就高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案，决意建设大通间、高净化级别、适合大规模集成电路生产的现代化厂房。他还用很大精力，抓原有生产线的技术改造。王守武认为，要提高成品率，搞现代化大生产，关键在于严格要求，严格管理，建起一条工艺稳定、设备稳定、操作规范化的工艺生产线。为此，王守武首先抓了净化环境的工作。他组织有关人员，重新改造了通风、排气系统，完善了其他一些工艺设施。用很少的资金，不太长的时间，就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。

为了使工艺设备工作稳定可靠，王守武像医生一样，对所用的每台设备的各个部件，进行认真检查，发现问题及时修理，消除了隐患。他还率领科研人员研制了一些急用的工艺设备，如清洗机、甩干机等。对于诸如高纯水、高纯气等最影响集成电路成品率的关键材料，王守武要求甚严，组织人员对其输送系统进行改造或重建，并首次选用聚丙烯做高纯水的输送管材，不仅价廉，而且污染系数小。他的这一创新，已在全国同行中得到推广。为保证气体的输送质量，他亲自动手，解决了国产气体表头密封不良的问题，建起了用高压充气和抽高真空两种检查气体管道密封性能的方法。由于他培养了一支过硬的水、气系统的设计与安装队伍，国内不少引进成套电子工程设备的单位，其气体管道的设计施工任务，都聘请109工厂气站人员去完成。他们的工程质量赢得了比专业建筑队伍还高的声望。对于诸如化学试剂、硅片等原材料的质量，他也制定了相应的质量检查标准和控制措施。这不仅对本厂工艺质量和工艺稳定起了很大作用，而且对原材料生产厂家改进产品质量也起了很好的促进作用。

在完成厂房、设备、原材料等基本条件的质量保证工作之后，王守武又指导科技人员一丝不苟地解决工艺中的每个问题。在确定工艺技术方案时，他不仅引导大家大胆采用等离子化学汽相淀积 (CVD) 这一最新工艺，还积极采用半导体研究所发明的一种成本低、光刻线边界整齐、针孔少、适合大生产的无显影光刻技术。在工艺试验中，他要求科技人员对光刻、扩散、外延等数十种工艺，分别进行 “单项保质、串线过关” 的试验，形成一整套规范化的操作规程，并对操作人员进行严格考核和制定各自的岗位职责，保证了工艺过程的稳定性和可重复性。在各个单项工艺都通过检查验收的基础上，以一个电视机用的集成电路品种进行流片试生产，一次就取得了芯片成品率达50%以上的可喜成果，比国内其它研制单位的成品率高出三四倍。王守武认为，取得一个电路品种的高成品率只是表示这套生产工艺可以起步; 要使各个电路品种均能高成品率地产出并符合设计要求，还得在保证封装质量、依用户对产品的反馈信息改进电路性能，和使之批批稳产、高成品率产出上狠下功夫。中科院109厂的这条年产上百万块中、大规模集成电路生产线，就这样地在王守武的精心操持下宣告建成，其产品亦随之进入市场并经受了众多用户的考验。

1985年，国内上百名专家齐集一堂，对王守武主持设计并建成的集成电路大生产试验线及其成果进行了技术鉴定。这一成果，于1986年获中科院科技进步二等奖。

在用原有国产设备进行大生产试验的同时，王守武还领导并参与了另一条引进的现代化集成电路生产线的建设。1988年，这条生产线，通过了国家计委、国家科委、电子工业部、北京市、中国科学院等有关部门的领导和国内著名专家的验收，并于1990年获中科院科技进步二等奖。

在王守武的倡议下，1986年1月，上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马，合并到109工厂，组成中科院 “微电子中心”。年事已高的王守武，被任命为该中心的终身名誉主任。王守武自此离开现职，专事他所向往的学术研究工作。

在109工厂任职期间，王守武并未停止自己的科学研究工作。他在半导体所与有关同事一起，研究了PNPN负阻激光器的性能、单腔双接触激光器的稳定性问题，以及对激光器内部光波模式和载流子分布的计算机模拟分析等，前后发表了十余篇学术论文。

热心教育事业

王守武举家从美国归国后，夫人葛修怀受聘到华北大学任教，主讲《电工学》。王守武为了表达没应聘去该校任职的歉疚之情和报答该校为他家提供住房条件，在该校承担了一年多的《理论物理》教学工作。后来，他夫人在去参加土改和分娩期间，《电工学》课一直由他承担。

1958年，由中国科学院院长郭沫若任校长的中国科技大学成立，王守武受命任该校物理系 (二系) 副主任和半导体专业的主任，并为高年级学生讲授《半导体物理》(Ⅱ)课程，直到1980年止。这期间，学校半导体专业的教学内容和科研方向，都由王守武安排和制订，包括安排学生去半导体研究所实习和做毕业论文。他的辛劳，已结出丰硕的果实：他的学生，不少现已成为半导体科技领域中的栋梁人才。

在我国半导体学界享有崇高威望的半导体物理学家、微电子学家王守武，把发展我国半导体科学事业视为已任，兢兢业业为之奋斗了一生。他远见卓识，富于开创精神，勇于以学科发展中的关键课题和影响大的问题为目标，开拓新研究领域; 他事业心强，奋发努力，从不满足已有成果，不断为自己提出新课题，并都以发展国民经济、增强综合国力为出发点;他对工作十分认真，重视实践，讲究实效，严格按科学规律办事;他为人忠厚、诚实，待人谦和，作风民主，无论是在学术讨论中，或做其他工作时，总是谦虚谨慎，平等待人。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。

简历

1919年3月15日出生于江苏省苏州市

1936—1941年上海同济大学机电系.获工程科学学士学位。

1941—1942年重庆国民政府资源委员会昆明中央机器厂工务员。

1942—1943年中国工合翻砂实验厂工务部主任。

1943—1944年同济大学助教。

1945—1949年美国普渡大学研究生院.相继获硕士、博士学位。

1949—1950年美国普渡大学助理教授。

1950—1960年中国科学院应用物理研究所(后改名为物理研究所)副研究员、研究员.半导体研究室主任。

1960—1983年中国科学院半导体研究所研究员、副所长。

1980—1985年中国科学院半导体研究所研究员兼中科院109工厂厂长1986年— 中国科学院半导体研究所研究员兼中国科学院微电子中心名誉主任

主要论著

1 王守武.半导体的电子生伏打效应的理论.物理学报，1956， 12 (1) ：66—79.

2 王守武.关于p—n合金结中少数载流子的注射理论.物理学报， 1958，14 (1)：89—94.

3 王守武.用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命. 物理学报， 1963， 19 (1) ： 176—190.

4 王守武，庄蔚华，彭怀德等.砷化镓p—n结的受激发射的光谱特性。物理学报， 1965， 21 (%) ： 1077—1079.

5 王守武，郑一阳，刘朝中等。平面Gunn器件中的雪崩驰豫振荡。中国科学， 1975， 18 (6) ：577—583.

6 王守武，朱其高，张权生等.低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器.电子学报， 1979， 7(3)：35—43.

7 王守武，潘国雄，王重云.Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟.半导体学报， 1980， 1(3)：204—219.

8 王守武，王仲明，许继宗.GaAs-Gaj-xAlxAs双异质结激光器的深能级荧光. 半导体学报， 1982， 2(3)：189—196.

9 王守武，赵礼庆，张存善等.DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量.半导体学报， 1982， 3 (2) ： 113—119.

10 王守武，顾纯学，王仲明等. (AlGa) As/GaAs DH激光器低温负阻的研究. 半导体学报， 1982， 3(5)：366—375.

11 Wang Shou-wu et al. GaAs/GaAlAs p-n-p-n negative resistance laserwith low threshold currect density. IEE Proc.，Pt. I， 1982， 129 (6) ：306—309.

12 王守武，郑一阳，郗小林等.Gunn器件中畴的静止—渡越—静止模式的实验观察和计算机模拟.半导体学报， 1983， 4 (4) ：321—333.

13 Wang Shou-wu et al. Self-oscillation frequency characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pnlaser. IEE Proc.， Pt. I， 1985， 132 (1) ：69—76.

14 王守武，郑一阳，郗小林等.平面Gunn器件中静止畴的形成和转变.半导体所报， 1983， 4 (5) ： 422—431.

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26 王守武.微电子技术的发展和我们的对策. 中国科学院院刊， 1990年第4期.

27 王守武主编.半导体器件研究与进展 (丛书)第一、二册.北京：科学出版社， 1988.

28 王守武主编.VDMOS场效应晶体管应用手册.北京：科学出版社，1990.

知名人物 王守武人物简介

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