日本 日本·1973年10月23日江崎玲於奈获诺贝尔物理学奖
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日本 日本·1973年10月23日江崎玲於奈获诺贝尔物理学奖
1973年10月23日江崎玲於奈获诺贝尔物理学奖
1973年10月23日，日本物理学家江崎玲於奈与他人合作发现半导体中的隧道效应，并发明隧道二极管而荣获该年度诺贝尔物理学奖。江崎1925年生于大阪，东京大学理学部物理学科半导体专业毕业。1947年至1956年，江崎在神户先行公司任固体物理研究员和实验物理教授。1956年至1960年，江崎在东京通讯工业公司(今索尼公司)领导研究半导体材料，并发明了隧道二极管。1959年获物理学博士学位，同年携妻赴美定居。1960年应聘出任美国IBM公司高级研究员。1958年1月江崎在《美国物理学会会刊》上发表《江崎二极管理论》一文，曾引起巨大反响。在美期间，江崎与美国IBM公司的美籍挪威人伊瓦尔·贾埃弗，英国剑桥大学的布赖恩·约瑟夫森合作，发现了固体中的隧道效应。另外，江崎和伊瓦尔在超导体研究上做出过理论贡献，布赖恩·约瑟夫森曾在“伊瓦尔效应”(即电流效应)上做过理论上的预言。为此，1973年10月23日，3人共同获得该年度的诺贝尔物理学奖。1965年江崎获日本学士院奖。1974年获日本文化勋章。1975年任日本学士院会员。江崎的理论贡献在于，在对半导体进行净化加工过程中发明了隧道二极管。在加工过程中，江崎克服了许多困难，发现了许多隧道现象，从而制成具有负阻特性的独特二极管。
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