知名人物 汤定元人物简介
Posted 知
篇首语：古之立大事者，不惟有超世之才，亦必有坚忍不拔之志。本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了知名人物 汤定元人物简介相关的知识，希望对你有一定的参考价值。
知名人物 汤定元人物简介
·汤定元
汤定元，物理学家。中国红外物理和技术的创建人，半导体学科和半导体光电器件的开创者。早期从事实验高压物理研究，长期从事固体物理、半导体光电子学以及红外物理和技术的研究，为发展中国的半导体光电子科学技术作出了贡献。领导研制了近十种光电器件和红外探测器件，并建立红外辐射探测材料生长、器件研制及物理研究的体系，奠定了在中国发展现代红外物理和技术的基础。
汤定元1920年5月12日生于江苏省金坛县农村一个乡村私塾先生的家里，兄妹5人，他排行第四，家庭经济拮据，没有多少田产，因而他父亲千方百计培养儿子读书。1930年进入金坛县城书院小学读5年级，一年后由于经济困难而被迫停学。1933年春，插班进入金坛县中初一，经过勤奋学习，按时于1935年毕业。初中毕业后他考进了可以免费食宿的无锡师范，想将来能当一名小学教师。那时他已开始研读《无线电收音机入门》和萨本栋写的《普通物理学》，这引起他极大的兴趣，无形中决定了他终身的奋斗方向。两年后，抗日战争爆发，学校关闭，他与几位老同学一起，肩背铺盖，靠沿途“求乞”步行到武汉，住进难民收容所。后来他被当时教育部收留，又被分到国立四川中学师范部继续学习。1938年7月他从师范部毕业，但在那兵荒马乱的时期他想找一个小学教员的位置也毫无门路，只能报考大学，以优秀的物理成绩及较高的总分，被破格录取在中央大学物理系学习。当时按照课程安排，他要读5年才能毕业。第一年他非常努力，补读了“高等数学”和“补习英文(二)”，暑期里还自学了《微积分》，并做了大量习题，二年级开始时，经过当时理论力学教授张钰哲的考试，可以直接选读“理论力学”，结果以4年时间学完大学课程，于1942年毕业。毕业后他留校任助教，在这期间他与刚回国的赵广增一起工作，在非常艰难的物质条件下进行气体放电的研究，自己动手吹制放电管。实验工作非常困难，有一个月时间几乎天天失败，失败了再做，后来气体放电及光谱拍摄都能正常工作了。赵广增的不畏艰难、百折不挠和勇于探索的科学精神使他深受感动，经过一年多不知多少次失败，最后终于获得了成功，出色地完成了气体放电中电子温度分布的测量工作。汤定元的名字第一次出现在美国的《物理评论》(1945年)上，通过这一工作，他不仅学到不少科学知识和实验技术，更重要的是懂得了从事科学研究所需要的不畏艰难和勇往直前的精神。从此他有了做研究工作的信心，并决定今后要从事实验物理的研究。
1948年初，他通过考试公费出国留美，先入美国明尼苏达大学，暑假后转入芝加哥大学物理系，在高压物理实验室A.W.劳森(Lawson)教授指导下研究金属铈Ce晶体的高压相变，发现一种新的相变并发明了金刚石对顶砧高压容器。1950年他取得硕士学位，并继续攻读博士，课题是用他们发明的新的高压容器研究一种对于地质学研究特别有意义的矿石CaCO3的相变。同时也从事硅在超高压下导电性能的研究。但不久他中断了在美国的研究工作回到了祖国。
在美国留学时，他接触到许多新思想，新事物，引起他不断的思索。他对美国的生活方式和社会现象常持批评态度，他从涂光炽那里经常看到进步的“华侨日报”，政治认识有很大提高。他总是怀念祖国的人和事，离开祖国愈远、愈久，对祖国的想念就越深。1950年抗美援朝战争开始，他决定回国。他的导师劳森几次找他谈话，希望他留下来，但他已经决定回国。劳森甚为惋惜，最后叮嘱说“你回去后把论文寄来，我们还可以给你博士学位”。汤定元辞别了导师，冲破阻碍，万里迢迢，终于在1951年6月初回到日夜思念的祖国。回国后不到两个月，美国就禁止中国大陆留学生回国。他暗中庆幸自己走对了路，从此开始了发展我国科学事业的征途。
汤定元回国以后进入中国科学院应用物理研究所(1958年改名为物理研究所)，选择了半导体物理作为他的研究方向，主要研究半导体的光学及光电性能，从事硫化铅和氧化亚铜的光学及光电导研究，以及锗光电导光谱分布的研究。接着他转向光电器件的研制，开始从事红外探测器的研究。在此期间曾在北京大学兼课和指导研究生。1960年到半导体研究所工作。
1964年中国科学院根据汤定元等的倡议，把上海技术物理研究所作为重点发展红外技术的专业研究所。同年5月汤定元带领一批同事从半导体所转入上海技术物理研究所，推动红外探测器研究、红外技术中的专用元部件研究以及红外遥感等重要应用研究。30多年来，汤定元为发展上海技术物理研究所的科学研究工作，也为发展中国红外物理技术的事业作出了巨大的贡献。
汤定元于1956年加入九三学社，曾是第五届全国政协委员，第六届第七届常务委员和第八届委员，九三学社第七届第八届中央委员，现为九三学社中央委员会顾问。
实验高压物理研究方面的重要贡献
1948～1950年汤定元留美期间，就在固体高压物理研究方面作出了卓越的贡献。他曾在美国芝加哥大学物理系学习，到校不久就在高压物理实验室找到了工作，在劳森教授指导下研究固体高压相变。他以金属Be作高压容器，让X射线通过Be容器摄取高压下样品的衍射象。1949年他在实验中证实金属铈(Ce)的晶体结构在高压(约大于12千巴)下确有体积突变达16.5%的相变，但相变前后都是面心立方结构。在原子周期表中，Ce是镧系稀土类元素中第一个有4f态的元素，压力的作用使4f电子被“挤入”内部的空5d态，这是一种新颖的相变! 这一发现当年就发表在《物理评论》上，并立即得到有关方面的重视，其中包括了两位诺贝尔奖获得者P.W.布里奇曼(Bridgman)和L.鲍令(Pauling)。布里奇曼称他“用一种最巧妙的技术取得了Ce在高压下的X-射线衍射照片”，证明了这种新的相变。鲍令称这种4价Ce正是“根据金属原子半径理论所要寻找的相”。
为了进一步提高压力，1950年汤定元又与劳森研制成金刚石对顶砧高压容器，获得25千巴的压力，文章发表在1950年出版的《科学仪器评论》上。这个金刚石高压容器在光学研究中有多种用途，体积小巧，易于掌握，现在已经发展成为高压物理研究中最重要的基本手段之一，耐压可以超过200千巴，被固体物理学界广为应用。人们用它发现了高压下固体光学性质的一系列规律，形成高压物理的重要研究领域。目前每两年召开一次的国际高压物理会议，其中有30%以上文章所涉及的实验结果，都是用汤定元、劳森发明的金刚石高压容器作为手段获得的。
半导体科学技术的开创人
汤定元是中国半导体科学技术的开创人之一。他回国之时，半导体的应用前景已很明朗，对它的研究正在国外兴起。他首先在国内筹备提纯及制备硅单晶，并从事硫化铅和氧化亚铜的光学和光电导研究。1951～1954年国际上半导体研究发展迅猛，已经出现晶体管商品，我国派往前苏联的科学代表团也带回同样的信息。起初，汤定元等开始半导体研究时，已经知道锗硅的重要性，但由于得不到这些高纯材料，才不得不从事硫化铅、氧化亚铜的研究。汤定元等感到我们的研究路线有问题，就在1954年下半年，由黄昆牵头，与王守武、洪朝生、汤定元等人，就如何发展我国的半导体事业作了详尽而全面的研讨，每周讨论一个下午，持续了相当长的时间。讨论之后，采取了一些措施，主要有：(1)北京大学物理系固体物理专门化在1955年上半年开设“半导体物理学”课程，由他们4人合作讲授;(2)应用物理研究所把原有的半导体研究工作全部停下，改做锗的研究工作，并建立区熔提纯及拉制单晶的设备;(3)中国物理学会召开一次全国性“半导体讨论会”并出版会议文集;(4)翻译出版A.Q.约飞(иоффе)《近代物理学中的半导体》1955年12月出版;(5)举办半导体短期讲习班，1956年暑期借北京师范大学校舍举办。后三项工作都是以中国物理学会名义进行，由汤定元负责实际组织工作。这些工作，为1956年上半年全国科学技术发展12年远景规划中的半导体项目作了较好的准备。这次规划把发展半导体科学技术作为一项紧急措施，其中有：加强应用物理研究所的半导体研究力量，成立半导体研究室，北京大学、南京大学、复旦大学、厦门大学及吉林大学5校联合在北大开设半导体专门化。从此中国半导体科学走上了蓬勃发展的道路。在1956年下半年汤定元全面负责物理研究所半导体研究室的工作时，进行了锗的区熔提纯的工作，又完成了锗光电导光谱分布的研究工作，用表面复合速度定量地解释了锗光导光谱分布的形状，提出了研究表面复合速度的方法。1957年在前民主德国召开的国际固体物理会议上宣读时，得到意想不到的成功，这一方法后来为前苏联学者充分发展。在黄昆、谢希德著的《半导体物理学》(1959年，科学出版社)中，这一工作的内容占了一页半篇幅。中国科学院副院长吴有训在一次与年轻人闲谈科学方法时说，最好的研究工作应当是能用比较简单的实验去说明重要的问题，他认为这一工作就属于这一类型。
半导体光电器件和红外技术的开拓者
汤定元是我国半导体光电器件的开拓者和红外技术的创建人。1956～1958年间向科学进军的号召触动了汤定元的思想，他认识到当时我国需要的不单是研究物理机制，还需要做出有用的东西来，因此他决定转向器件研制，准备做红外探测器。当时国内对红外技术有所了解的人很少，他觉得有责任提请领导注意。1958年初他向解放军总参谋部提出建议，并获得领导的重视和采纳，开始下达发展红外技术的科研任务。1958年12月31日汤定元领导一个来自9个单位的16人小组从事硫化铅红外探测器的研制，这一项目是当时由聂荣臻任管理委员会主任的某一任务的重要部分。他们采用化学沉积和高温敏化处理方法制备硫化铅探测器，经过半年的艰苦努力，每天工作12小时，没有星期天及休假日，终于研制出性能良好的硫化铅红外探测器。同时花一半以上力量建立起一套测试设备，包括黑体响应率，噪声频谱、光谱响应等。1959年9月美国在《无线电工程学会学报》(Proc.IRE)及《美国光学学会杂志》(JOSA)两杂志上第一次以专刊形式公布美国在高度保密条件下10多年来发展起来的红外技术的内容。汤定元等对红外探测器主要参数所建立的测试系统正好与他们公布的不谋而合。这套测试系统也成为后来国内建立红外探测器实验室的样板，在此期间，汤定元等还编译了一本《红外光电探测器及其材料》，共28万字，由科学出版社出版，在三年自然灾害经济困难时期的1960年，1961年两次印刷计1.1万册。这项任务的完成，得到任务管理委员会的表扬，聂荣臻也亲自来参观了关于硫化铅红外探测器的研究。这一研究工作打下了中国红外技术进一步发展的良好基础。
1960～1961年间，为了促进我国红外技术的发展，汤定元把自己的想法写信告诉聂荣臻，并向国家科委负责人韩光作了详细汇报并被邀著文在《内参》上发表，引起国家领导人的重视。1962年他参加了科学发展远景规划的制定，由于他的倡议，红外技术与应用光学并列作为国家的发展重点。也是由于他的促进，中国科学院于1963年底召开了红外工作会议，这导致1964年初院工作会议作出把上海技术物理研究所和昆明物理所作为发展红外技术专业研究所的决定。
1964年5月，汤定元带领半导体所13位同志转到上海技术物理研究所。根据当时国内的科研状况，他认为红外技术发展的关键问题是必须重点抓好红外探测器以及红外技术中的专用部件的研制，还要做一些重要的高水平的应用研究。上海技术物理研究所按这一指导思想进行了改组，改组后的结果一直沿用至今。这实质上是按出成果的要求安排研究所的工作。许多来所参观的国外学者都对这一结构表示赞赏，国内的几个同行研究所也都参照这一结构，安排工作。
汤定元从1958年以来，先后开创并组织领导研制了硅太阳能电池，温差电致冷器，硅PIN结粒子计数器，硫化铅红外探测器，热敏电阻型红外探测器，锑化铟、锗掺汞和碲镉汞红外探测器，硅CCD器件以及红外焦平面列阵红外探测器的研制。这些器件先后用于各种军用和工业装备，科研设备，以及航天航空遥感系统。为我国“两弹一星”的研制做出了突出贡献。如硅太阳能电池后来曾用于我国发射的第一颗人造地球卫星《东方红》上。温差电致冷器后来转让给工厂小量生产，硅PIN结粒子计数器制成后提供原子能研究所使用。热敏电阻型红外探测器曾用于火车热轴探测，后又用于多种形式的地平仪上，用于我国发射的多颗人造卫星上。锗掺汞红外探测器做成后曾用于航空红外相机，后来由使用更为方便的碲镉汞探测器所替代。碲镉汞晶体的禁带宽度随组分而改变，可以做成响应各种波段的红外探测器。由于它的物理性能特别符合红外探测器的要求，做成的用于1～3μm、3～5μm、8～12μm波段的探测器比用其它材料做的同波段探测器具有更好的工作性能，因而成为国际上用来研制红外探测器的最重要的材料。在汤定元领导下所研制的碲镉汞红外探测器已用于人造卫星及多种军事装备中。
汤定元还首先在国内创导电荷耦合器件的研制，1976年，在上海技术物理研究所开展了CCD的研究，这一工作为今天的红外焦平面列阵准备了一个重要基础。20多年来由于汤定元的领导和参加，今日的上海技术物理研究所已经形成从热敏红外探测器到适用于三个重要大气窗口(1～3μm、3～5μm、8～12μm)的光子型探测器，从单元到焦平面列阵的全面的红外探测器研究阵势。我国的红外科学技术从无到有，到今天已经有了一支不小的队伍和相当的规模，汤定元在其中起了开拓者的作用。
窄禁带半导体学科的带头人
汤定元是我国窄禁带半导体学科的杰出带头人。1978年后，汤定元考虑到碲镉汞红外探测器在今后红外技术发展中的重要性，就把人力逐步集中到碲镉汞材料器件的研制上来，同时组建物理研究室，其中主要内容之一是碲镉汞的物理研究，解决碲镉汞红外探测器发展过程所遇到的问题，其次是固体光学性质与光电过程的研究，为红外技术的新发展开辟道路。物理室于1982年成立，1985年被中国科学院批准为开放实验室，汤定元担任学术委员会主任，1989年升格为国家重点实验室。十余年来，碲镉汞的研究在国外确有极大的发展，成为红外技术发展中最重要的红外探测器材料，犹如微电子技术中硅所处的地位，这证明十多年前汤定元的思维是完全正确的。近20年来汤定元在上海技术物理所带领一个科研群体对碲镉汞材料、器件及物理性能作了全面系统的研究，在国内外发表了100多篇学术论文，涉及碲镉汞半导体的能带参数，光学常数，杂质缺陷、材料物理和器件物理等方面。他取得的主要成果有：(1)提出了Hg1-xCdxTe半导体的禁带宽度与组分X和温度T的关系式，这一式子具有可靠的物理基础，它与国内外实验数据的符合程度优于国外所有的同类关系式，被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤的第一个字母);(2)用实验直接证明了零禁带Hg1-xCdxTe晶体中受主共振能级的存在，并提出杂质导电带的形成，能完满解释过去杂质共振散射概念所不能解释的实验事实。(3)发现碲镉汞P-N结电容-电压曲线的反常现象，理论分析证明它起源于禁带中杂质的间接隧道效应，并发现在一定条件下，随着偏压增加，电容抗会转变为电感抗。这个现象可能成为一种新颖器件——容-感变换器的物理基础;(4)对Hg1-xCdxTe材料的缺陷和它的P-N结和MIS结的漏电机制作了详细的分析，为材料的选取、材料及器件工艺的改进提供了物理基础。(5)提出了HgCdTe半导体禁带宽度能量以上和以下波长范围的吸收系数和折射系数的计算公式等等。
由于汤定元先生的开创与领导，红外物理国家重点实验室在窄禁带半导体物理性质研究方面取得了多项国际创新的结果，被国际上广泛引用，并被写进多本科学手册或专著。1993年汤定元先生领导的“窄禁带半导体的光学和电学性质研究”获得国家自然科学三等奖。1995年我们在“美国Ⅱ-Ⅳ族化合物物理化学会议”中作了“中国红外物理国家重点实验室碲镉汞研究的新进展”的大会特邀报告。我们有16项研究成果被写进1999年由德国Springer出版社出版的国际权威的科学手册Landolt-Boernstein：“Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology”新版本Ⅲ/41B。其中包括：禁带宽度表达式、禁带宽度非线性温度关系、禁带宽度压力系数、电子有效质量、重空穴有效质量、禁带跃迁本征吸收光谱、禁带宽度能量以上吸收系数表达式、带边附近折射系数表达式、本征载流了浓度表达式、体电子和表面电子的迁移率谱分析、轻空穴和重空穴迁移率谱分析、碲镉汞中砷、铁杂质的能级位置和光电行为，碲镉汞中汞空位能级和吸收强度及远红外声子参数和光学常数等研究结果。
科普和教育的热心人
汤定元不仅是一个卓越的科学家，还热心于科学普及及教育。他一直有一个信念：把科学成就告诉普通老百姓是科学家应尽的责任。早在50～60年代他就写了不少科普文章，翻译过瓦维洛夫的“眼睛和太阳”等著名科普书籍和文章。在他的科普文章中，“天坛中的几个建筑物声学问题”(1953年科学通报第二期)一文是最有影响的。他对天坛中回音壁、三音石、圜丘声学现象的形成机理提出了很有见地的科学假说，从科学上解释了400多年来人们迷惑不解的天坛奇异声学问题，已为“中国古代科学成就”和《中国科学技术史稿》等书详细引用。汤定元的科学假说1995年又为国家自然科学基金项目的详细测量研究所证实，新华社、人民日报、澳门日报、香港天天日报等数十家通讯社、报纸、电台、电视台分别报道了这一成果。
“文化大革命”刚结束，他组织编写了一本《红外技术——基础与应用》的科学普及读物，发行了近5万册。1985年后，汤定元参加红外辐射加热技术研讨会，了解到这一重要的节能技术在我国发展所遇到的一些问题，就决定写一本《红外辐射加热技术》(1992年)的科普读物，说明辐射加热的基本原理。他认为，直接从事这项工作的工人及技术人员如能理解辐射加热的实质内容，就能发挥出主动性和创造性，为国家更有效地节约能源。
汤定元一直重视教育，这与他读过师范学校有关。早在1955年他就与黄昆、王守武、洪朝生合作在北京大学开设我国第一次“半导体物理学”课程，1963年又与洪朝生、李荫远合作在中国科技大学开设《固体物理学》。他先后兼任中国科技大学教授、上海科技大学技术物理系主任及华中工学院教授等职。他在研究过程中常常意识到在同一领域内还有许多年轻工作者，因此常常写一些进展性总结性文章供他们参考。他主持撰写和编译出版了10本科技专著和科普书籍，印刷字数超过300万，他本人撰写了100万字，翻译了120万字。近年来他还培养了20多名博士和30多名硕士，活跃在红外物理和技术研究的许多领域。他还担任过《科学通报》、《中国科学》、《半导体学报》、《红外与毫米学报》等12种科学期刊丛书的编委，副主编、主编。
年届八旬的汤定元院士至今还在努力著书立说，培养研究生，继续把握红外物理与技术研究的方向，为祖国的科学技术事业作贡献。
简 历
1920年5月12日 出生于江苏省金坛县。
1938～1942年 在国立中央大学物理系学习。
1942～1948年 任国立中央大学物理系助教。
1948～1951年 公费赴美国留学，先入明尼苏达大学物理系，1948年秋转入芝加哥大学物理系，1950年获物理学硕士学位。
1951～1960年 在中国科学院应用物理研究所(1958年改为物理研究所)任助理研究员、副研究员。
1960～1964年 在中国科学院半导体研究所任副研究员，研究员。
1964～1977年 在中国科学院上海技术物理研究所任研究员。
1977～1985年 在中国科学院上海技术物理研究所任副所长、所长。
1979～1983年 任中国光学会副理事长。
1983～1988年 任上海物理学会副理事长。
1984～1989年 任中国电子学会理事、量子电子学与光电子学学会副主任。
1985～至今 历任中国科学院上海技术物理研究所学术委员会主任，红外物理国家重点实验室学术委员会主任、委员。
1991年 当选为中国科学院数理学部院士。
主要论著
1 K.T.Chao，T.Y.Tang(汤定元).Electron temperature in electrical discharges.Phys Rev.1945，68：30～39
2 A.W.Lawson，Ting-Yuan Tang(汤定元). Concerning the high pressure allotropic modification of cerium.Phys rev.1949，76：301～302
3 A.W.Lawson，Ting-Yuan Tang(汤定元). A Diamond Domb for obtaining powder picture of high pressure.Rev.Scient Instr 1950，21：815
4 汤定元.天坛中几个建筑物的声学问题.科学通报，1953(2)：50
5 汤定元，周帅先.一种硫化铅光敏电阻的制备及其特性，半导体会议论文集.北京：科学出版社，1957：212
6 汤定元.表面复合速度对于锗的光电导光谱分布的影响.物理学报，1957，13：421～442
7 Tang Ting-yuan，KaoGuo-yu. The effect of surface recombination on the spectral response of photoconductivity of n-type Germanium.Scientia Sinica，1958，7：165～178，该文参加民主德国固体物理及固体发光会议转载于“Festkoerperphysik und Physik der Leuchtstoffe”，Academie-Verlag，Berlin，1958
8 汤定元.关于硫化镉单晶的生长速率.物理学报，1962，18：207～210.
9 黄启圣，汤定元.锑化铟中载流子的复合过程.物理学报，1965，21：1038～1048
10 吴自强，汤定元.P型锑化铟中的噪声.物理学报，1966，22：206～213
11 汤定元.关于碲镉汞三元系材料器件的一些问题的讨论.红外物理与技术，1976(4，5)：53～87
12 沈杰，陈建中，汤定元.Hg0.80 Cd0.20 Te在液相线温度的汞汽压.科学通报，1981，26：593～595
13 Chu Junhao，Yu Shichou，Tang Dingyuan(汤定元).The energy gap versus alloy composition and temperature in Hg1-x CdxTe. Appl Phys Lett，1983，43：1064～1066
14 褚君浩，王戎兴，汤定元.非抛物型能带半导体Hg1-xCdxTe的本征载流子浓度.红外研究，1983，2(4)：241～249
15 夏义本，曹泽淳，汤定元.在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理.应用科学学报，1984，2：195～202
16 D.Y.Tang(汤定元). Researchson infrared physics in China. Infrared Physics，1985，25：3～12
17 Jianrong Yang，Zhen Zhong Yu，Dingyuan Tang(汤定元). The defects in Hg0.8 Cd0.2 Te annealed at high temperature Journal of Crystal Growth，1985，72：275～279
18 梁勇，郑国珍，汤定元.零禁带Hg1-xCdxTe受主杂质带导电.中国科学A，1987(6)：605～613
19 林和，汤定元.窄禁带半导体P-N结的间接隧道电容.半导体学报，1988，9，48～66
20 黄建新，方家熊，汤定元.背景辐射对0.1ev HgCdTe光导探测器性能的影响.红外研究，1989，8，1～10
21 郑国珍，汤定元.L3He温度下HgCdTe量子输运特性，红外研究，1989，8，139～143
22 汤定元，糜正瑜主编.光电器件概念，上海科学技术文献出版社1989
23 Chen Yongping，Zheng Guozhen，Tang D ingyuan(汤定元). Composition dependence of hot electron effect in Hg1-xCdxTe，Semicond Sci Technol，1990，5：S304～S306
24 Jue Wang，Wei Lu，Dingyuan Tang(汤定元).Influence of defect absorption on the absorption edge in Hg0.8Cd0.2Te Appl. Phys Lett，1990，57(4)：363～365
25 Junhao Chu，Zhengyu Mi，Dingyuan Tang(汤定元).Intrinsic absorption Spectroscopy and related physical quantities of narrow-gap semiconductors Hg1-xCdxTe，Infrared physics，1991，32：195～211
26 汤定元，童斐明.窄禁带半导体红外探测器.半导体器件研究与进展(2)，科学出版社，1991，1～107
27 Yan Haoxin，Ton Feiming，Tang Dingyuan. Contribution of field-enchanced generation-recombination to Hg1-x CdxTe photodiode characteristics. Infrared Phys.1991，31，451～458
28 Jun-hao Chu，Zheng-yu Mi，Ding-yuan Tang(汤定元).Band to-band optical absorption in narrow-gap HgCdTe Semiconductors，J. Appl. Phys，1992，71(8)：3955～3961
29 汤定元编著.红外辐射加热技术，复旦大学出版社1992
30 Kun Liu，J. H. Chu，D. Y. Tang(汤定元). Composition and temperature dependence of the refractive index in Hg1-xCdxTe，Jppl. Phys 1994，75(8)：4176
31 Biao Li，Junhao Chu，Ding-yuan Tang(汤定元).Influence of mercury pressure on liguidus temperature and composition of Liquid phase epitaxial(Hg，Cd)Te，Jounal of Crystal Growth，1995，148：41～48
32 郑国珍，汤定元.浅施主杂质态在n-HgCdTe磁致金属—绝缘体相中的作用.半导体学报，1995，16：497
相关参考
邓禹王莽统治末年，天下大乱，英雄四起，豪杰倍出。许多人跟随光武帝刘秀南征北战，东击西讨，为东汉的建立立下了汗马功劳。刘秀平定天下以后，为褒奖这些人的佐定元功，将他们分封为侯。刘秀的儿子刘庄继位后，为了
民国时期符铸与汤定之、谢公展、王师子、郑午昌、陆丹林、谢玉岑、张善孖、张大千以年龄长幼为序，成立「”九社”。九人常聚一处，谈诗论画，抨击时局，史称「”民国九友”。与冯臼臼庵、姚尊壶庵人称「”衡阳三庵”
洛神甄宓是中山无极(今河北省定元县)人，祖上出了一位名人，叫做甄邯，在西汉末年和王莽新朝时做过太保、大司马。甄宓一出生，就带有传奇色彩。> 据说，其母怀她时，每每睡觉，总梦见一仙人，手持玉如意，
洛神甄宓是中山無極(今河北省定元縣)人，祖上出了一位名人，叫做甄邯，在西漢末年和王莽新朝時做過太保、大司馬。甄宓一出生，就帶有傳奇色彩。據說，其母懷她時，每每睡覺，總夢見一仙人，手持玉如意，站在旁邊守
洛神甄宓是中山無極(今河北省定元縣)人，祖上出了一位名人，叫做甄邯，在西漢末年和王莽新朝時做過太保、大司馬。甄宓一出生，就帶有傳奇色彩。據說，其母懷她時，每每睡覺，總夢見一仙人，手持玉如意，站在旁邊守
王珞丹(1984年1月30日-)，内地女演员，毕业于北京电影学院表演系本科。2007年，王珞丹因在赵宝刚导演的青春励志剧《奋斗》中出演“米莱”而走红。2008年，再次在赵宝刚的电视剧《
王琼是明朝的军事人物，他经历了成化、弘治、正德和嘉靖四个皇帝，从六品官做到了户部、兵部和吏部尚书一品大员，王琼生平有三大功绩为人所称赞，一是治理漕河;二是，平定宸濠叛乱;三是，总制西北边防。人物简介>
葛洪，晋朝时代的医学家、博物学家和制药化学家，炼丹术家，著名的道教人士，人称葛仙翁，他在中国哲学史、医药学史以及科学史上都有很高的地位。人物简介>葛洪是中国东晋时期有名的医生，字稚川，自号抱朴子，丹阳
葛洪，晋朝时代的医学家、博物学家和制药化学家，炼丹术家，著名的道教人士，人称葛仙翁，他在中国哲学史、医药学史以及科学史上都有很高的地位。人物简介>葛洪是中国东晋时期有名的医生，字稚川，自号抱朴子，丹阳
历史人物 王珞丹个人资料_王珞丹人物简介,王珞丹个人资料_王珞丹人物简介
王珞丹个人资料_王珞丹人物简介 中文名：王珞丹 英文名：May 国家或地区：中国内地 生日：1984-01-30 出生地：内蒙古自治区赤峰市 职业：演员 星座：水瓶座